晶体管极性:

Dual N-Channel

技术:

Si

Id-连续漏极电流:

2.6 A

Vds-漏源极击穿电压:

- 500 mV, 105 V

增益:

19.2 dB

输出功率:

700 W

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

NI-780H-4

封装:

Cut Tape

封装:

Reel

工作频率:

1030 MHz to 1090 MHz

类型:

RF Power MOSFET

商标:

NXP Semiconductors

通道数量:

2 Channel

Pd-功率耗散:

526 W