晶体管极性:

N-Channel

技术:

Si

Id-连续漏极电流:

3 A

Vds-漏源极击穿电压:

30 V

增益:

15 dB

输出功率:

8 W

最小工作温度:

- 40 C

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

DFN-16

封装:

Cut Tape

封装:

Reel

工作频率:

136 MHz to 941 MHz

类型:

RF Power MOSFET

商标:

NXP Semiconductors

正向跨导 - 最小值:

9.8 S

通道数量:

1 Channel

湿度敏感性:

Yes

Pd-功率耗散:

65.7 W

产品类型:

RF MOSFET Transistors

Vgs - 栅极-源极电压:

- 6 V , 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

1.6 V

零件号别名:

935346918515

单位重量:

0.001 mg